به گزارش مردم فردا،سامسونگ دستیابی به سرعت ۸٫۵ گیگابیت برثانیه را روی حافظه‌های LPDDR5X خود که با فرایند ۱۴ نانومتری ساخته‌ شده‌ است را روی پلتفرم اسنپدراگون کوالکام تأیید کرد. DRAM مورد آزمایش، از نوع ۸ گیگابایتی بود که با فرایند EUV روی جدیدترین پلتفرم اسنپدراگون کوالکام توسعه داده شده بود.

سامسونگ، بزرگ‌ترین سازنده‌ی تراشه‌های حافظه در جهان است و تأکید کرد که فقط پنج‌ماه پس‌از دستیابی به رکورد ۷٫۵ گیگابیت برثانیه، اکنون به سرعت ۸٫۵ گیگابیت برثانیه رسیده است. غول فناوری کره‌ی جنوبی می‌گوید DRAM جدید آن‌ ۱٫۳ برابر سریع‌تر از LPDDR5 (با حداکثر سرعت ۶٫۴ گیگابیت برثانیه) است. این شرکت همچنین اعلام کرده است که سرعت بالاتر یعنی DRAM LPDDR5X غیر از صنعت موبایل، می‌تواند در سایر حوزه‌های فناوری نیز مورد استفاده قرار گیرد.

به‌نوشته‌ی ZDNet، نرخ تقاضا برای DRAMهای LPDDR یا DRAMهای کم‌مصرف، در سرورها، خودروهای هوشمند و سیستم‌های محاسباتی با کارایی بالا درحال افزایش است. سامسونگ تأیید کرد که مصرف انرژی کم‌تر این تراشه‌ها، برای مصرف‌کنندگان جذاب است زیرا باعث صرفه‌جویی در هزینه‌ها می‌شود.

شرکت کره‌ای همچنین می‌گوید که درساخت DRAMهای جدید از طراحی اختصاصی خود استفاده کرده است که باعث بهبود سیگنال‌های ورودی و خروجی می‌شود و نویز میان تراشه‌ی حاقظه و پردازنده را به‌حداقل ممکن کاهش می‌دهد.

درهمین‌حال، انتظار می‌رود کسب‌وکار تراشه‌های سامسونگ، کم‌ترین سود خود را در سه‌سال اخیر برای سه‌ماهه‌ی سوم سال جاری گزارش کند. این شرکت اوایل ماه جاری اعلام کرد که سود عملیاتی کلی آن در سه‌ماهه‌ی سوم، نسبت به سال گذشته ۳۱٫۷۳ درصد کاهش یافته است که به گفته‌ی تحلیل‌گران، دلیل اصلی آن، کاهش تقاضا برای تراشه‌های حافظه است.