به گزارش مردم فردا،همچنین گفته می‌شود که مدل استاندارد این تراشه یعنی Snapdragon 8 Gen 4، با فرایند 3 نانومتری TSMC N3E توسعه خواهد یافت.

تراشه Snapdragon 8 Gen 4 for Galaxy ساخت سامسونگ
طبق گفته‌های افشاگر Tech_Reve، چیپست Snapdragon 8 Gen 4 با استفاده از فرآیند 3 نانومتری TSMC (N3E) ساخته خواهد شد، درحالی‌که Snapdragon 8 Gen 4 for Galaxy با استفاده از فرآیند 3 نانومتری GAP (3GAP) سامسونگ توسعه می‌یابد. اگر این اطلاعات دقیق باشد، فرآیند 3 نانومتری Samsung Foundry درنهایت می‌تواند ازنظر عملکرد و کارایی با فرآیند 3 نانومتری TSMC قابل مقایسه باشد. بااین‌حال، این اطلاعات را با کمی شک‌وتردید درنظر بگیرید، زیرا ما دو سال با عرضه سری گلکسی S25 فاصله داریم و همه چیز در اواخر سال 2024 مشخص خواهد شد.

این اولین بار پس از مدت‌ها خواهد بود که یک شرکت تراشه‌ای مشابه را با استفاده از دو تأمین‌کننده مختلف می‌سازد، مشابه کاری که اپل با پردازنده A9 آیفون 6s انجام داد. برخی از تراشه‌های A9 با استفاده از فرآیند 14 نانومتری سامسونگ ساخته شده‌اند، درحالی‌که برخی دیگر از فرآیند 16 نانومتری TSMC بهره می‌برند. درحالی‌که تراشه A9 ساخت سامسونگ ازنظر اندازه کوچکتر بود، تراشه‌های ساخت TSMC بازده انرژی کمی بالاتری را ارائه می‌دادند.

تراشه Snapdragon 8 Gen 4 for Galaxy ساخت سامسونگ
Snapdragon 8 Gen 4 for Galaxy را می‌توان با «چیپست رؤیایی» سامسونگ که برای استفاده در برخی از دستگاه‌های سری گلکسی اس 25 شایعه شده است، یکسان دانست. انتظار می‌رود هر دو تراشه با استفاده از فرآیند 3 نانومتری GAP سامسونگ ساخته شوند و می‌توانند سطوح عملکردی مشابهی را ارائه دهند. بااین‌حال، تفاوت‌ها همیشه وجود خواهند داشت، اما این به سامسونگ بستگی دارد که تفاوت دو چیپست اگزینوس و اسنپدراگون را به‌خصوص در بحث مصرف انرژی تا حد زیادی کاهش دهد.